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深圳市华之电科技有限公司
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产品信息
CT Micro 非线性光耦 CT 4N35
CT Micro 非线性光耦 CT 4N35
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不合适于传媒模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。
CT Micro 非线性光耦 CT 4N35
Features
•High isolation 5000 VRMS
•CTR flexibility available see order information
•DC input with transistor output
•Operating temperature range - 55 °C to 110 °C
•Regulatory Approvals
UL - UL1577 (E364000)
VDE - EN60747-5-5(VDE0884-5)
CQC – GB4943.1, GB8898
IEC60065, IEC60950
Description
The 4N25, 4N26, 4N27, 4N28, 4N35, 4N36, 4N37,
4N38, H11A1, H11A2, H11A3, H11A4, H11A5 series
consists of a photo transistor optically coupled to a
gallium arsenide Infrared-emitting diode in a 6-lead
DIP package different lead forming options.
Applications
•Switch mode power supplies
•Computer peripheral interface
•Microprocessor system interface
Transfer Characteristics
Symbol Parameters Test Conditions Min Typ Max Units Notes
CTR
Current
Transfer
Ratio
4N35, 4N36, 4N37
IF= 10mA, VCE= 10V
100 - -
%
4N25,4N26, 4N38,
H11A2, H11A3
20 - -
4N27, 4N28, H11A4 10 - -
H11A1 50 - -
H11A5 30 - -
