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深圳市华之电科技有限公司
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产品信息
CT814A(V)(S)(T1)
CT814A(V)(S)(T1)
CT814A(V)(S)(T1)
CT814A(V)(S)(T1)
Features
•••• High isolation 5000 VRMS
•••• CTR flexibility available see order information
•••• DC input with transistor output
•••• External Creepage ≥ 7.5mm (S/SL Type)
•••• External Creepage ≥ 8.0mm (SLM Type)
•••• Operating Temperature range - 55 °C to 110 °C
•••• Regulatory Approvals
UL - UL1577 (E364000)
VDE - EN60747-5-5(VDE0884-5)
CQC – GB4943.1, GB8898
IEC60065, IEC60950
Description
The CT814 series consists of a phototransistor
optically coupled to two gallium arsenide
Infrared-emitting diode, connected in inverse
parallel, in a 4-lead DIP package with bending
options.
Applications
•••• Switch mode power supplies
•••• Computer peripheral interface
•••• Microprocessor system interface
CT814A(V)(S)(T1)
产品种类: 晶体管输出光电耦合器
封装 / 箱体: PDIP-4
输出类型: NPN Phototransistor
通道数量: 1 Channel
If - 正向电流: 60 mA
集电极/发射极电压: 80 V
绝缘电压: 5000 Vrms
集电极/发射极饱和电压: 0.2 V
Vf - 正向电压: 1.4 V
Pd-功率耗散: 200 mW
工作温度: - 55 C
工作温度: + 110 C
封装: Tube
配置: 1 Channel
长度: 4.58 mm
宽度: 6.5 mm
子类别: Optocouplers