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深圳市华之电科技有限公司
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产品信息
IRFP450PBF
IRFP450PBF
IRFP450PBF
IRFP450PBF
FEATURES
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Isolated Central Mounting Hole
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
• Lead (Pb)-free Available
IRFP450PBF
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
cost-effectiveness.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial
applications where higher power levels preclude the use of
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the
earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.
It also provides greater creepage distances between pins to
meet the requirements of most safety specifications
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 190 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: IRFP
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 值: 9.3 S
下降时间: 44 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 47 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 92 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 38 g