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深圳市华之电科技有限公司
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产品信息
FQP8N90C
FQP8N90C
FQP8N90C
FQP8N90C
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switch mode power supplies.
Features
• 6.3A, 900V, RDS(on) = 1.9Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 35 nC)
• Low Crss ( typical 12 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
Thermal Characteristics
Symbol Parameter FQP8N90C FQPF8N90C Units
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case 0.73 2.08 °C/W RθJS Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ. 0.5 -- °C/W RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 62.5 62.5 °C/W