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深圳市华之电科技有限公司
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产品信息
4N35SR2M
封装 / 箱体: SMD-DIP-6
输出类型: NPN Phototransistor
通道数量: 1 Channel
If - 正向电流: 60 mA
集电极/发射极电压: 30 V
绝缘电压: 7500 Vrms
集电极/发射极饱和电压: 0.3 V
Vf - 正向电压: 1.5 V
Vr - 反向电压 : 6 V
Pd-功率耗散: 150 mW
工作温度: - 40 C
工作温度: + 100 C
系列: 4N35M
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: 1 Channel
高度: 3.53 mm
长度: 8.89 mm
宽度: 6.6 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
集电极—射极击穿电压: 100 V
4N35SR2M
DESCRIPTION
The general purpose optocouplers consist of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 6-pin
dual in-line package.
FEATURES
• Also available in white package by specifying -M suffifix, eg. 4N25-M
• UL recognized (File # E90700)
• VDE recognized (File # 94766)
- Add option V for white package (e.g., 4N25V-M)
- Add option 300 for black package (e.g., 4N25.300)
APPLICATIONS
• Power supply regulators
• Digital logic inputs
• Microprocessor inputs
4N35SR2M
4N35SR2M
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不合适于传媒模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。
4N35SR2M
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不合适于传媒模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不合适于传媒模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。